功能描述：MOSFET N-CH TO252

制造商：alpha & omega semiconductor inc.

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：25A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：18nC @ 10V

Vgs（最大值）：±16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：900pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），33W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：18 毫欧 @ 20A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

标准包装：2,500

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AOD4128

AOD413

AOD413/AOD4132

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AOD4132

AOD4132/AOD4184

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